मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन वेफर की मोटाई कितनी होती है?

औद्योगिक श्रृंखला सहयोग की प्रगति के साथ, थिनिंग प्रक्रिया में तेजी आ रही है। सिलिकॉन वेफर्स की मोटाई कोशिकाओं के स्वचालन, उपज और रूपांतरण दक्षता पर प्रभाव डालती है, और इसे डाउनस्ट्रीम सेल और मॉड्यूल निर्माताओं की आवश्यकताओं से मेल खाना पड़ता है। इसलिए, थिनिंग औद्योगिक श्रृंखला में सभी कड़ियों के सहयोग और उन्नति पर अधिक निर्भर है।
2020 में, पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन वेफर्स की औसत मोटाई 180 μm है, P-प्रकार मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन वेफर्स की औसत मोटाई लगभग 175 μm है, N-प्रकार सिलिकॉन वेफर्स की औसत मोटाई 168 μm है, N-प्रकार सिलिकॉन की औसत मोटाई है TOPCon कोशिकाओं के लिए वेफर्स 175 μm है, और हेटेरोजंक्शन कोशिकाओं के लिए सिलिकॉन वेफर्स की औसत मोटाई लगभग 150 μm है।
1. पी-प्रकार मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन वेफर्स: पतली स्लाइस में 350 μm, 250 μm, 220 μm, 200 μm और 180 μm जैसे कई नोड्स का अनुभव हुआ है, और 2021 में 170 μm तक पहुंचने की उम्मीद है। {{की पतली स्लाइस तकनीक 9}} μm परिपक्व हो गया है और 2025 में 160 μm तक पहुंचने की उम्मीद है।
2. एन-टाइप मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन वेफर्स: पी-टाइप सिलिकॉन वेफर्स की तुलना में, एन-टाइप सिलिकॉन वेफर्स को पतला करना आसान होता है। 2021 में इसके 160-165 μm तक पहुंचने की उम्मीद है। वर्तमान में, 120-140 μm वेफर तकनीक उपलब्ध है, और लंबे समय में इसके 100-120 μm तक पहुंचने की उम्मीद है।
3. हेटेरोजंक्शन कोशिकाओं के लिए एन-प्रकार मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन वेफर्स: एचजेटी पतलेपन के लिए सबसे अनुकूल सेल संरचना और प्रक्रिया है, और पतलेपन में इसके प्राकृतिक फायदे हैं। कारण हैं:
(1) सममित संरचना, कम तापमान या तनाव मुक्त प्रक्रिया को पतले सिलिकॉन वेफर्स के लिए अनुकूलित किया जा सकता है।
(2) रूपांतरण दक्षता मोटाई से प्रभावित नहीं होती है। भले ही मोटाई लगभग 100 माइक्रोन तक कम हो जाती है, अल्ट्रा-लो सतह पुनर्संयोजन के आधार पर, शॉर्ट-सर्किट वर्तमान आईएससी के नुकसान की भरपाई ओपन-सर्किट वोल्टेज वोक द्वारा की जा सकती है।
प्रासंगिक भविष्यवाणियों के अनुसार, हेटेरोजंक्शन एन-प्रकार सिलिकॉन वेफर्स की मोटाई क्रमशः 2024, 2027 और 2030 में 140, 130 और 120 माइक्रोन तक पहुंच जाएगी, और पतलेपन की सैद्धांतिक सीमा 100 माइक्रोन से नीचे तक पहुंच सकती है।