उत्पाद वर्णन
SiC डमी वेफर एक उच्च गुणवत्ता वाला उत्पाद है जिसका सेमीकंडक्टर उद्योग में व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है। यह एक सिलिकॉन कार्बाइड वेफर है जिसे विशेष रूप से सेमीकंडक्टर उपकरणों के परीक्षण और डिबगिंग के लिए डिज़ाइन किया गया है। SiC डमी वेफर सेमीकंडक्टर निर्माताओं के लिए एक महत्वपूर्ण उपकरण है, क्योंकि यह उन्हें अपने उत्पादों की गुणवत्ता और अखंडता सुनिश्चित करने में मदद करता है।
SiC डमी वेफर के मुख्य लाभों में से एक इसकी उच्च शुद्धता और एकरूपता है। यह सुनिश्चित करता है कि यह सेमीकंडक्टर उपकरणों के परीक्षण और डिबगिंग में सटीक और विश्वसनीय परिणाम प्रदान करता है। वेफर अत्यधिक टिकाऊ और क्षति के प्रति प्रतिरोधी भी है, जो इसे कठोर ऑपरेटिंग वातावरण में उपयोग के लिए एक आदर्श विकल्प बनाता है।
SiC डमी वेफर का एक और लाभ इसकी बहुमुखी प्रतिभा है। इसका उपयोग सेमीकंडक्टर अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला में किया जा सकता है, जिसमें पावर डिवाइस, RF डिवाइस और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स शामिल हैं। यह इसे सेमीकंडक्टर निर्माताओं के लिए एक मूल्यवान उपकरण बनाता है जिन्हें विभिन्न प्रकार के उपकरणों का परीक्षण करने की आवश्यकता होती है।
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4H एन-टाइप SiC 100MM, 350μm वेफर विनिर्देश |
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अनुच्छेद संख्या |
W4H100N-4-PO (या CO)-350 |
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विवरण |
4H SiC सब्सट्रेट |
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पॉलीटाइप |
4H |
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व्यास |
(100+0.0-0.5) मिमी |
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मोटाई |
(350±25)μm (इंजीनियरिंग ग्रेड ±50μm) |
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वाहक प्रकार |
N- प्रकार |
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डोपेंट |
नाइट्रोजन |
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प्रतिरोधकता (आरटी) |
0.012-0.025Ω▪सेमी (इंजीनियरिंग ग्रेड<0.025Ω▪cm) |
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वेफर अभिविन्यास |
(4+0.5) डिग्री |
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इंजीनियरिंग ग्रेड |
उत्पादन ग्रेड |
उत्पादन ग्रेड |
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2.1 |
2.2 |
2.3 |
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माइक्रोपाइप घनत्व |
30 सेमी-² से कम या बराबर |
10सेमी-² से कम या बराबर |
1 सेमी-² से कम या बराबर |
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माइक्रोपाइप मुक्त क्षेत्र |
निर्दिष्ट नहीं है |
96% से अधिक या बराबर |
96% से अधिक या बराबर |
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अभिविन्यास समतल (OF) |
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अभिविन्यास |
समानांतर {1-100} ±5 डिग्री |
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अभिविन्यास फ्लैट लंबाई |
(32.5±2.0) मिमी |
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पहचान फ्लैट (आईएफ) |
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अभिविन्यास |
Si-फेस: 90 डिग्री cw, ओरिएंटेशन फ्लैट से ±5 डिग्री |
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पहचान फ्लैट लंबाई |
(18.0+2.0) मिमी
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सतह |
विकल्प 1: Si-फेस मानक पॉलिश Epi-तैयार C-फेस ऑप्टिकल पॉलिश |
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विकल्प 2: Si-फेस CMP Epi-रेडी, C-फेस ऑप्टिकल पॉलिश |
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पैकेट |
मल्टीपल वेफर (25) शिपिंग बॉक्स |
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(अनुरोध पर एकल वेफर पैकेज) |
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6H N-टाइप SiC, 2"वेफर विशिष्टता |
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अनुच्छेद संख्या |
W6H51N-0-पीएम-250-एस |
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विवरण |
उत्पादन ग्रेड 6H SiC सब्सट्रेट |
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पॉलीटाइप |
6H |
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व्यास |
(50.8±38) मिमी |
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मोटाई |
(250±25) माइक्रोन |
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वाहक प्रकार |
N- प्रकार |
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डोपेंट |
नाइट्रोजन |
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प्रतिरोधकता(आरटी) |
0.06-0.10Ω▪सेमी |
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वेफर अभिविन्यास |
(0+0.5) डिग्री |
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माइक्रोपाइप घनत्व |
100सेमी-² से कम या बराबर |
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अभिविन्यास समतल अभिविन्यास |
समानांतर {1-100} ±5 डिग्री |
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अभिविन्यास फ्लैट लंबाई |
(15.88±1.65) मिमी |
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पहचान फ्लैट अभिविन्यास |
एसआई-फेस: 90 डिग्री सीडब्ल्यू. फ्रो ओरिएंटेशन फ्लैट ± 5 डिग्री |
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पहचान फ्लैट लंबाई |
(8+1.65) मिमी |
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सतह |
Si-फेस मानक पॉलिश Epi-तैयार |
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सी-फेस मैटेड |
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पैकेट |
पैकेज एकल वेफर पैकेज या एकाधिक वेफर शिपिंग बॉक्स |
उत्पाद की तस्वीर



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