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SiC एपिटैक्सियल वेफर

SiC एपिटैक्सियल वेफर

SiC epi वेफर बाजार में उपलब्ध एक उच्च गुणवत्ता वाला और उन्नत सेमीकंडक्टर उत्पाद है। यह एक प्रकार का सिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सियल वेफर है जो विभिन्न इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टिकल अनुप्रयोगों में उत्कृष्ट प्रदर्शन प्रदान करता है।
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विवरण
तकनीकी पैरामीटर
उत्पाद वर्णन

 

SiC epi वेफर बाजार में एक उच्च गुणवत्ता वाला और उन्नत अर्धचालक उत्पाद है। यह एक प्रकार का सिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सियल वेफर है जो विभिन्न इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टिकल अनुप्रयोगों में उत्कृष्ट प्रदर्शन प्रदान करता है। SiC epi वेफर उन्नत क्रिस्टल विकास तकनीकों का उपयोग करके निर्मित किया जाता है, जिसके परिणामस्वरूप बेहतर गुणों वाली उच्च गुणवत्ता वाली सामग्री बनती है।

 

SiC epi वेफर के महत्वपूर्ण लाभों में से एक इसका उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेज है, जो इसे उच्च-शक्ति और उच्च-तापमान अनुप्रयोगों के लिए एक आदर्श विकल्प बनाता है। यह थर्मल और मैकेनिकल तनाव के लिए भी अत्यधिक प्रतिरोधी है, जो कठोर वातावरण में भी स्थिरता और स्थायित्व सुनिश्चित करता है। इसकी उत्कृष्ट तापीय चालकता गुण कुशल गर्मी अपव्यय को सक्षम करते हैं, जिससे इलेक्ट्रॉनिक घटकों को गर्मी से होने वाले नुकसान का जोखिम कम होता है।

 

SiC epi वेफर का इस्तेमाल विभिन्न इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में व्यापक रूप से किया जाता है, जिसमें पावर इलेक्ट्रॉनिक्स, लाइटिंग और सेंसर शामिल हैं। यह उच्च तापमान और उच्च शक्ति की आवश्यकता वाले मांग वाले अनुप्रयोगों में भी उत्कृष्ट प्रदर्शन और विश्वसनीयता प्रदान करता है। इसके अलावा, यह पारंपरिक सिलिकॉन-आधारित सामग्रियों का एक पर्यावरण-अनुकूल और टिकाऊ विकल्प है, जो इसे पर्यावरण के प्रति जागरूक उपभोक्ताओं के लिए एक आदर्श विकल्प बनाता है।

 

4H एन-टाइप SiC 100MM, 350μm वेफर विनिर्देश

अनुच्छेद संख्या

W4H100N-4-PO (या CO)-350

विवरण

4H SiC सब्सट्रेट

पॉलीटाइप

4H

व्यास

(100+0.0-0.5) मिमी

मोटाई

(350±25)μm (इंजीनियरिंग ग्रेड ±50μm)

वाहक प्रकार

N- प्रकार

डोपेंट

नाइट्रोजन

प्रतिरोधकता (आरटी)

0.012-0.025Ω▪सेमी (इंजीनियरिंग ग्रेड<0.025Ω▪cm)

वेफर अभिविन्यास

(4+0.5) डिग्री

इंजीनियरिंग ग्रेड

उत्पादन ग्रेड

उत्पादन ग्रेड

2.1

2.2

2.3

माइक्रोपाइप घनत्व

30 सेमी-² से कम या बराबर

10सेमी-² से कम या बराबर

1 सेमी-² से कम या बराबर

माइक्रोपाइप मुक्त क्षेत्र

निर्दिष्ट नहीं है

96% से अधिक या बराबर

96% से अधिक या बराबर

अभिविन्यास समतल (OF)

 

अभिविन्यास

समानांतर {1-100} ±5 डिग्री

अभिविन्यास फ्लैट लंबाई

(32.5±2.0) मिमी

पहचान फ्लैट (आईएफ)

 

अभिविन्यास

Si-फेस: 90 डिग्री cw, ओरिएंटेशन फ्लैट से ±5 डिग्री

पहचान फ्लैट लंबाई

(18.0+2.0) मिमी

 

सतह

विकल्प 1: Si-फेस मानक पॉलिश Epi-तैयार C-फेस ऑप्टिकल पॉलिश

विकल्प 2: Si-फेस CMP Epi-रेडी, C-फेस ऑप्टिकल पॉलिश

पैकेट

मल्टीपल वेफर (25) शिपिंग बॉक्स

(अनुरोध पर एकल वेफर पैकेज)

 

6H N-टाइप SiC, 2"वेफर विशिष्टता

अनुच्छेद संख्या

W6H51N-0-पीएम-250-एस

विवरण

उत्पादन ग्रेड 6H SiC सब्सट्रेट

पॉलीटाइप

6H

व्यास

(50.8±38) मिमी

मोटाई

(250±25) माइक्रोन

वाहक प्रकार

N- प्रकार

डोपेंट

नाइट्रोजन

प्रतिरोधकता(आरटी)

0.06-0.10Ω▪सेमी

वेफर अभिविन्यास

(0+0.5) डिग्री

माइक्रोपाइप घनत्व

100सेमी-² से कम या बराबर

अभिविन्यास समतल अभिविन्यास

समानांतर {1-100} ±5 डिग्री

अभिविन्यास फ्लैट लंबाई

(15.88±1.65) मिमी

पहचान फ्लैट अभिविन्यास

एसआई-फेस: 90 डिग्री सीडब्ल्यू. फ्रो ओरिएंटेशन फ्लैट ± 5 डिग्री

पहचान फ्लैट लंबाई

(8+1.65) मिमी

सतह

Si-फेस मानक पॉलिश Epi-तैयार

सी-फेस मैटेड

पैकेट

पैकेज एकल वेफर पैकेज या एकाधिक वेफर शिपिंग बॉक्स

 

उत्पाद की तस्वीर

SiC GaN Wafer1

हमें क्यों चुनें

 

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हमारा प्रमाणपत्र

 

हमारी कंपनी हमारे द्वारा अर्जित विभिन्न प्रमाणपत्रों पर गर्व करती है, जिसमें हमारे पेटेंट प्रमाणपत्र, ISO9001 प्रमाणपत्र और राष्ट्रीय हाई-टेक एंटरप्राइज प्रमाणपत्र शामिल हैं। ये प्रमाणपत्र नवाचार, गुणवत्ता प्रबंधन और उत्कृष्टता के प्रति प्रतिबद्धता के प्रति हमारे समर्पण को दर्शाते हैं।

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