प्रथम पीढ़ी के अर्धचालक?
प्रतिनिधि सामग्री: सिलिकॉन (Si), जर्मेनियम (Ge)। जर्मेनियम के नुकसान: खराब तापीय स्थिरता। जर्मेनियम ट्रांजिस्टर 1948 में दिखाई दिए। 1950 से 1970 के दशक की शुरुआत तक, जर्मेनियम ट्रांजिस्टर तेजी से विकसित हुए। उसके बाद, उन्हें धीरे-धीरे विकसित देशों से खत्म किया जाने लगा। 1980 तक, जैसे-जैसे उच्च शुद्धता वाले सिलिकॉन की निर्माण प्रक्रिया धीरे-धीरे परिपक्व होती गई, उन्हें दुनिया भर में सिलिकॉन ट्रांजिस्टर द्वारा लगभग पूरी तरह से बदल दिया गया।
दूसरी पीढ़ी के अर्धचालक?
प्रतिनिधि सामग्री: गैलियम आर्सेनाइड (GaAs), इंडियम फॉस्फाइड (InP).
लाभ:
1. उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता;
2. प्रत्यक्ष बैंड गैप, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों में बहुत कुशल है, क्योंकि इलेक्ट्रॉन सीधे कूद सकते हैं और एक ही समय में फोटॉन जारी कर सकते हैं, जैसे एलईडी और लेजर।
तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक?
प्रतिनिधि सामग्री:सिलिकॉन कार्बाइड (SiC), गैलियम नाइट्राइड (GaN), जिंक सेलेनाइड (ZnSe)।
लाभ: विस्तृत बैंडगैप, उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेज और उच्च तापीय चालकता। उच्च तापमान, उच्च शक्ति और उच्च आवृत्ति अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त।
चौथी पीढ़ी के अर्धचालक?
प्रतिनिधि सामग्री:
गैलियम ऑक्साइड (Ga2O3), हीरा (C), एल्युमिनियम नाइट्राइड (AlN) और बोरॉन नाइट्राइड (BN), आदि। लाभ: अल्ट्रा-वाइड बैंडगैप; उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेज; उच्च वाहक गतिशीलता, आदि।
नुकसान:
कठिन सामग्री विकास और तैयारी; अपरिपक्व विनिर्माण प्रक्रिया, कई प्रमुख प्रौद्योगिकियों का अभी तक पूरी तरह से विकास नहीं हुआ है।