आइए एक 4-इंच मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन वेफर को उदाहरण के रूप में लें:
जैसा कि उपर दिखाया गया है:
अभिविन्यास: <100>सिलिकॉन वेफर के क्रिस्टलोग्राफिक अभिविन्यास को दर्शाता है। इस अभिविन्यास का वेफर पर उपकरणों के इलेक्ट्रॉनिक गुणों और विनिर्माण प्रक्रिया पर महत्वपूर्ण प्रभाव पड़ता है।
प्रकार:एक प्राथमिक फ्लैट के साथ पी (बोरॉन) का मतलब है कि वेफर पी-प्रकार सिलिकॉन है, यानी, अतिरिक्त छेद बनाने के लिए इसे बोरॉन के साथ डोप किया गया है। "एक प्राथमिक फ्लैट" वेफर के किनारे के आकार को संदर्भित करता है, जो क्रिस्टल जालक की दिशा की पहचान करने में मदद करता है।
प्रतिरोध:1-10 ओम-सेमी वेफर की प्रतिरोधकता है।
श्रेणी:प्राइम/सीजेड वर्जिन सिलिकॉन वेफर की गुणवत्ता और शुद्धता को दर्शाता है। "प्राइम" उच्चतम ग्रेड है और इसका उपयोग उच्च परिशुद्धता अनुप्रयोगों के लिए किया जाता है; "सीजेड" सीजेड विधि द्वारा उत्पादित एकल-क्रिस्टल सिलिकॉन वेफर्स को संदर्भित करता है।
कलई करना:कोई नहीं, मूल ऑक्साइड का मतलब केवल यह है कि वेफर की सतह पर कोई अतिरिक्त फिल्म परत नहीं है, केवल एक प्राकृतिक रूप से निर्मित सिलिकॉन डाइऑक्साइड परत है।
मोटाई:525µm (+/- 20µm) वेफर की मोटाई है, और त्रुटि को प्लस या माइनस 20 माइक्रोन के भीतर नियंत्रित किया जाता है। बाद के प्रसंस्करण चरणों के लिए मोटाई की एकरूपता महत्वपूर्ण है।
व्यास:100 मिमी वेफर का व्यास निर्दिष्ट करता है।
ताना:<=30µm, the lower the warp, the better the wafer quality.
झुकना: <=30µm, similar to warping, it is also a measure of wafer flatness.
मुख्य स्थिति किनारा:32.5 +/- 2.5 मिमी वेफर के मुख्य पोजिशनिंग किनारे की लंबाई को इंगित करता है, जिसका उपयोग वेफर की दिशा का पता लगाने के लिए किया जाता है। कुछ वेफर्स में द्वितीयक पोजिशनिंग किनारे भी होते हैं, जैसा कि नीचे दिखाया गया है:
सतह खुरदरापन:0.2 - 0.3nm, एक तरफ पॉलिश का मतलब है कि सिलिकॉन वेफर एक एकल-पॉलिश सिलिकॉन वेफर है और सतह खुरदरापन की इकाई नैनोमीटर है।
