4,6,8 इंच सिलिकॉन वेफर इन्वेंटरी अपडेट_20240311 SOI

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Mar 12, 2024 एक संदेश छोड़ें

बहुत	उत्पाद	व्यास	क्रिस्टल	प्रकार	डोपेंट	अभिविन्यास	मोटाई	प्रतिरोधकता
G8P131	इसलिए मैं	200	सीजेड	P	B	100	725±15	14~19	डिवाइस : 55±7.5nm, 8~12 ohm.cm / बॉक्स : 145±10nm, नॉच<110>
C19404-3-2	इसलिए मैं	200	सीजेड	ना	ना	100	725±15	>750	डिवाइस : 210~230nm, 8~12 ohm.cm / बॉक्स : 2950~3050nm
G8P238S	इसलिए मैं	200	सीजेड	P	B	100	725±15	14~19	डिवाइस : 200~240nm, 8~12 ohm.cm / बॉक्स : 1950~2050nm
G8P217	इसलिए मैं	200	सीजेड	ना	ना	100	725±15	>750	डिवाइस : 210~230nm, P<100>, 8~12 ओम.सेमी / बॉक्स : 1950~2050nm
G8P500	इसलिए मैं	200	सीजेड	P	B	100	725±15	8~12	डिवाइस : 500±50nm / बॉक्स : 2950~3050nm, नॉच ओरिएंटेशन<110>
G8P600	इसलिए मैं	200	सीजेड	P	B	100	725±15	8~12	डिवाइस : 600±60nm / बॉक्स : 2950~3050nm, नॉच ओरिएंटेशन<110>
G8P340	इसलिए मैं	200	सीजेड	P	B	100	725±15	8~12	डिवाइस : 340±25nm / बॉक्स : 2900~3100nm, नॉच ओरिएंटेशन<110>
G8P288	इसलिए मैं	200	सीजेड	P	B	100	725±15	>1000	डिवाइस : 145±12.5nm, 8~12 ohm.cm / बॉक्स : 400±25nm, नॉच<110>
G8M107	इसलिए मैं	200	सीजेड	N	पीएचडी	100	725±15	0.3~1.2	डिवाइस : 1500±80nm, P/B<100>, 14~22 ओम-सेमी / बॉक्स: 950~1050nm, नॉच<100>
230300058	इसलिए मैं	150	सीजेड	P	B	100	450±5	1~10	डिवाइस : 15μm±0.5μm P 0.01~0.02 / बॉक्स : 5μm±5%,डीएसपी
1511032	इसलिए मैं	100	सीजेड	N		100	475±25	ना	डिवाइस : 20μm±0.5 N 0.001~0.02 / बॉक्स : 15μm±3%
G8N70	इसलिए मैं	200	सीजेड	N	पीएचडी	100	725±10	1~10	डिवाइस : 70μm±5% / बॉक्स : 1000nm±5%
G8K00318	इसलिए मैं	200	सीजेड	P	B	100	625±10	>1000	डिवाइस : 1.5±0.5μm,<0.02 ohm.cm / Box : 2μm±5%
A0210	इसलिए मैं	200	सीजेड	P	B	100	725±15	8.5~11.5	डिवाइस : 1250±100nm / बॉक्स : 400±40nm
112301	इसलिए मैं	100	सीजेड	N	एसबी	100	300	0.005~0.025	डिवाइस : 30μm / बॉक्स : 0.5μm
G6P163S	इसलिए मैं	150	सीजेड	P	B	100	675±15	10~20	डिवाइस : 200~240nm, 10~20 ओम.सेमी / बॉक्स : 2850~3150nm